Elektronik dünyası, yarı iletkenlere ihtiyaç duydukça, yarı iletken teknolojisindeki çalışmalarda büyük gelişmeler olmaktadır. Bu çalışmada, yarı iletken sahasında büyük öneme sahip III-V yarı iletkenlerin üçlü alaşımlarından elde edilen AlxIn(1-x)N yarıiletkeninde elektrik alan ile elektron sürüklenme hızının nasıl etkilendiği araştırılmıştır. Çünkü, bu yarı iletken 0,7 eV ile 6,2 eV arasında değiştirilebilir geniş yasak enerji aralığına sahiptir. Bu özelliği optoelektronik sahası için gerçekten dikkat çekicidir. Bunun yanı sıra sürüklenme hızını etkileyebilecek saçılma mekanizmaları hesaba katılarak hesaplamalar yapılmış, hesaplamalarda kullanılan parametrelerin etkisi araştırılmış ve elde edilen veriler sonuç ve tartışma bölümünde ele alınmıştır
As the world of electronics needs semiconductors, there are great advances in the work of semiconductor technology. In this study, the effect of electric field and electron drift velocity on AlxIn(1-x)N semiconductor obtained from triple alloys of III-V semiconductors of great importance in semiconductor field was investigated. Because, the first oportunities about this alloy is its variable bantgap energy which can be changed from 0,7 to 6,2 eV. So it is so attractive for optoelectronic tecnology. In this study, calculations were made taking into account scattering mechanisms that may affect drift velocity. The effect of the parameters used in thecalculations was investigated and the data obtained were discussed in the conclusion and discussion section
