Bu çalışmada Ultrasonik Sprey Piroliz (USP) yöntemi ile üretilen n-tipi
Cd(1-x)ZnxS (x=0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0) yarıiletken ince filmlerinin elektriksel
özellikleri incelenmiştir. Cd(1-x)ZnxS ince filmlerinin akım-voltaj karakteristikleri
ölçülmüştür. Bu ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta -35 ile +35 Volt arasında
değişen voltaj değerlerinde gerçekleştirilmiştir. Elde edilen ince filmlerin I-V
karakteristikleri gümüş kontaklar için lineerdir. Bu lineerlikten gümüş kontakların
Cd(1-x)ZnxS yarıiletken ince filmleri için ohmic kontak olduğu anlaşılmıştır. Cd(1-x)ZnxS
ince filmlerinin elektriksel özdirençleri iki uç tekniği kullanılarak belirlenmiştir.
Yapılan hesaplamalar sonucunda Cd(1-x)ZnxS ince filmlerinin elektriksel özdirenç
değerlerinin 4,7 ve 11,4 Ω.cm arasında değiştiği hesaplanmıştır.
n-tipi Cd(1-x)ZnxS ince filmlerinin yüzeyleri üzerinde Yüksek Termal Vakum
Buharlaştırma Yöntemi (High Thermal Vacuum Evaporation Technique) kullanılarak
altın (Au) ile kaplanmıştır. Yapılan altın kontaklar oluşturularak hazırlanan filmler oda
sıcaklığında ve karanlıkta -0,50 ile +0,95 Volt arasındaki değişen değerlerde akım voltaj karakteristikleri elde edilmiştir. Bu akım- voltaj değerlerinden yararlanılarak,
altın’ın -0,50 ile +0,95 Volt arasında Metal(Au)/Yarıiletken(Cd0,2Zn0,8S) kontağı için
Schottky kontak olduğu belirlenmiştir. Akımın ln değeri alınarak, voltaj değerlerine
karşı grafiği çizilmiştir ve çizmiş olduğumuz grafikten idealite faktörü (n) elde
edilmiştir. Au/Cd0,2Zn0,8S kontaktı için kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleride alınmıştır.
(1/C2
)’nin V’ye karşı grafiği çizilmiştir. Bu grafikten yararlanarak Schottky engelinin
yüksekliği ve serbest taşıyıcı yük yoğunluğu hesaplanmıştır. Au/Cd0,2Zn0,8S yarıiletken
ince filmi için, Schottky engel yüksekliği (EфM) 1,3 eV, serbest taşıyıcı yük yoğunluğu
(Nd) 8,21x1019 cm-3 olarak bulunmuştur.
In this work, the electrical properties of n-type Cd(1-x)ZnxS (x=0, 0.2, 0.4, 0.6,
0.8, 1.0) thin films were produced by Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) method have
been investigated. Current-Voltage characteristics of Cd(1-x)ZnxS thin films were
measured. These measurements were performed by applying voltages between -35 and
+35 Volts at room temperature in the dark. I-V characteristics of thin films were linear
for silver contacts. Due to the linearity, silver contacts have been observed that they
were ohmic contacts for Cd(1-x)ZnxS thin films. Electrical resistivities of Cd(1-x)ZnxS
thin films have been determined using the two-probe technique. Electrical resistivities
of Cd(1-x) Znx S thin films have been found to be between 4.7 and 11.4 Ω.cm.
Surfaces of n-type Cd(1-x)ZnxS thin films were coated with gold (Au), by using
High Thermal Vacuum Evaporation Technique. Current-voltage characteristics of
Au/n-type Cd(1-x)ZnxS have been measured applying voltages between -0.50 and +0.95
volts at room temperature in the dark. By looking at current-voltage curves of
Metal(Au)/Semiconductor(Cd(1-x)ZnxS) contact was a Schottky contact. From the plot
of ln I versus Voltage (V), idealite factor (n) was obtained. In addition to that, Schottky
barrier height was obtained from the plot of (1/C2
) versus voltage (V). However, the
number of free charge carriers was determined. The Schottky barrier height (EфM), and
the number of free charge carriers (Nd) were found to be 1.3 eV and 8.21x1019 cm3
,
respectively.
