Cd1-xSnxS (0≤ x ≤0.5) filmleri Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile
300±5°C taban sıcaklığındaki cam tabanlar üzerine oluşturulmuştur. X-ışını kırınım
desenlerinden, elde edilen filmlerin polikristal ve hekzagonal yapıda oldukları, tanecik
boyutlarının ise 23-38.5 nm arasında değiştiği belirlenmiştir. Film kalınlıklarının kalay
katkılanması ile azaldığı ve yaklaşık olarak 2.67 μm ile 1.00 μm arasında değiştiği
görülmüştür. Filmlerin yasak enerji aralıklarının direkt bant geçişli olduğu ve enerji
aralıklarının yaklaşık 2.44, 2.45 ve 2.46 eV değerlerinde olduğu saptanmıştır. Sıcak uç
yöntemi ile bütün filmlerin n-tipi özellik gösterdikleri belirlenmiştir. Filmlerin karanlık
ve aydınlatma şartlarında hesaplanan özdirenç değerlerinin karanlık ortamda 4.64x106 -
1.24x103 Ωcm arasında, aydınlatma şartlarında ise 2.79x103 – 1.30x101 Ωcm arasında
değiştiği ve Sn katkı oranının artmasıyla azalma gösterdiği belirlenmiştir. Arrhenius
grafikleri incelenerek aktivasyon enerji değerlerinin 0.011 ile 0.343 eV arasında değiştiği
saptanmıştır. AFM, SEM ve optik mikroskop görüntü analizleri ile yüzey durumları
incelenmiştir.
Cd1-xSnxS (0≤ x ≤0.5) films were deposited at 300±5°C substrate temperature on
glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis technique. The x-ray diffraction spectra of
the films showed that they are polycrystalline with the grain sizes between 23-38.5 nm
and hexagonal in structure. The thicknesses of the films have been found to be in the
range of 2.67μm - 1.00 μm and thicknesses decreased with increasing Sn concentration.
The materials have exhibited direct band gap characteristics with the band gap values of
2.44, 2.45 and 2.46 eV. n-type conductivity of the films were verified by the hot probe
method. I-V characteristics of the films have shown ohmic conduction. The calculated
values of the resistivity of the films in dark and under illumination have been found to lie
in between 4.64x106 -1.24x103 Ωcm and 2.79x103 -1.30x101 Ωcm, respectively. The
resistivity decreased with increasing tin concentration and under illumination. The
activation energies from the Arrhenius plots of the films have been found to lie between
0.011 ile 0.343 eV. Surface situations and surface morphologies of the films were
investigated by Optic Microscope, AFM and SEM analysis.
