Yarıiletken ince film üretim tekniklerinden kimyasal püskürtme (SP),
Magnetron sökme biriktirme (MS), Vakum altında buharlastırma (VE), Metal organik
kimyasal buhar çöktürme (MOCVD) ve Moleküler demet epitaksi (MBE) teknikleri,
çalısma prensipleri, üretim süreçleri ve bu süreçlerin üretilen ince filmlerin fiziksel
özellikleri üzerine etkileri incelenmistir.
Yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerini olusturan kristal yapı, film
kalınlıgı, optik ve elektriksel özellikler elektronik ve optoelektronik cihazların
gelistirilmesinde ve kullanım alanlarının artmasında oldukça önemli bir yere sahiplerdir.
Bu çalısmada bes farklı teknikle üretilmis II-VI yarıiletken bilesiklerinin kristal yapı,
iletkenlik tipi, mobilite, elektriksel özdirenç, ve yasak enerji aralık degerlerini gösteren
tablolar olusturulmustur. Bu tekniklerle üretilen ince filmlerin optik ve elektriksel
özellikleri ile üretim teknikleri arasındaki iliski incelenmistir.
Kimyasal püskürtme (SP), Magnetron sökme biriktirme (MS), Vakum altında
buharlastırma (VE), Metal organik kimyasal buhar çöktürme (MOCVD) ve Moleküler
demet epitaksi (MBE) teknikleriyle üretilen II-VI yarıiletken bilesiklerinden CdS
yarıiletken ince filmlerinin optik ve elektriksel özellikleri karsılastırılarak
yorumlanmıstır. Günümüz teknolojisinde oldukça önemli bir yeri olan yarıiletken ince
filmlerin optik ve elektriksel özelliklerinin ince film üretim tekniklerine kuvvetli bir
sekilde baglı oldugu belirlenmistir.
The semiconductor thin film production techniques such as spray pyrolysis (SP),
magnetron sputtering (MS), metalorganic chemical vapour depositon (MOCVD),
vacuum evaporation (VE) and molecular beam epitaxy (MBE) and their principles,
processes and the effect on the physical properties of produced thin films are examined
in this research.
The physical properties of semiconductor thin films such as crystal structure, the
thickness of the thin film and electrical and optical properties, have a significant role on
the development of the electronic and opto-electronic devices and their usage. The
tables showing the crystal structures, semiconductor types, mobilities, electrical
resistivity, and band gaps of the II-VI compounds which are produced by five different
techniques are provided in this research. The relationships between optical and
electrical properties of thin films and techniques for productions have been studied.
The electrical and optical properties of different techniques such as CdS
semiconductor thin films which were produced by Spray Pyrolysis (SP), Magnetron
Sputtering (MS), Metalorganic Chemical Vapour Depositon (MOCVD), Vacuum
Evaporation (VE) and Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been compared and
interpreted. It has been determined that the electrical and optical properties of
semiconductor thin films highly depend on the production methods of thin films.
