Bu çalısmada yarıiletken güç elemanlarının bilgisayar simülasyonu ele alındı.
Simülasyon için Sonlu Farklar Yöntemi kullanıldı. Đki-boyutlu sayısal simülasyon
sonuçları olarak tasıyıcı yoğunlukları, potansiyel değisim ve elektrik alan gibi fiziksel
büyüklüklere ait iki-boyutlu grafikler ve elemanı tanımlayan akım-gerilim
karakteristikleri elde edildi. Simülasyon programından yararlanılarak bir yarıiletken güç
elemanı olan IGBT için karma bir model gelistirildi. Model IGBT’nin “MOSFET + PiN
Diyot” esdeğer devre modeline dayanmaktadır ve PiN yapının simülasyonu ile
MOSFET için ideal büyük isaret esdeğerinin kullanılmasını birlestirmektedir. Karma
modelin uygulaması olarak IGBT’nin doğru akım ve gerilim karakteristikleri elde
edildi.
Semiconductor power switches were simulated on the computer. The finite
differences method was used for the simulation. With two dimensional simulations,
carrier concentrations, potential distribution and electric field intensity were obtained.
For the current-voltage characteristics of the IGBT power switch, a hybrid model was
developed. The model is based on a MOSFET + PiN diode combination. The PiN diode
structure was simulated with the finite differences model while an analytical model for
the MOSFET was used. The DC characteristics of the IGBT were obtained with this
model.
