Sürekli gelisen ve yenilikler arayan opto-elektronik teknolojisi alternatif saydam
iletken oksit malzemelere ihtiyaç duymaktadır. Bu amaçla, bu tip uygulamalarda fiziksel
özellikleri ile önemli bir potansiyele sahip olan, belki de hak ettigi ilgiyi henüz tam olarak
bulamamıs olan CdO filmleri ve bu filmlerin Al elementi ile katkılanma ve çöktürme sonrası
ısıl islemlerle sahip olacagı karakteristikler incelenmistir. CdO filmlerinin üretimi için
ekonomik ve basit bir teknik olan Ultrasonik Kimyasal Püskürtme teknigi kullanılmıstır. CdO
filmleri, %1, 2 ve 3 katkı oranlarında Al elementi ile katkılanmıstır. Tavlama islemi için üç
farklı sıcaklık (250, 350 ve 450 °C) seçilmis ve malzemeler bir saat süre ile ısıl isleme tabi
tutulmustur. Elde edilen filmlerin yapısal, elektriksel, optiksel ve yüzeysel özellikleri farklı
analiz teknikleri ile incelenmis ve bu özellikler üzerine katkılama ve tavlama islemlerinin
etkisi arastırılmıstır. Analiz sonuçları, filmlerin opto-elektronik endüstrisinde ve yarıiletken
günes pillerinde uygulama potansiyelleri göz önüne alınarak degerlendirilmistir. Sonuç
olarak; katkılamanın ve ısıl islemin filmlerin özelliklerinde dikkate deger etkiler yarattıgı ve
düsük Al konsantrasyonu ve yüksek tavlama sıcaklıklarında CdO filmlerinin fiziksel, yapısal
ve yüzeysel özelliklerinin iyilestigi görülmüstür.
Opto-electronic technology which is continuously developing and searching for
innovations needs alternative transparent conducting oxide materials. On this purpose, the
effect of Al doping and thermal annealing on the characteristics of CdO films, having an
important potential with their physical properties but unfortunately haven’t experienced the
interest it deserved, has been investigated. Ultrasonic spray pyrolysis technique which is
economical and simple has been used to produce the films. CdO films have been doped with
Al at the percentages of 1, 2 and 3 at %. Three different temperatures (250, 350 and 450 °C)
have been chosen for thermal annealing and the films have been annealed in air for one hour.
The structural, electrical, optical and surface properties of the films have been characterized
using different techniques and the effect of doping and annealing on these properties have
been investigated. The results have been presented by taking into consideration that these
films will have applications in opto-electronic industry and semiconductor solar cells. Finally,
it has been seen that doping and annealing have noticeable effects on the properties of the
films, low Al concentration and high annealing temperature improves the physical, structural
and surface properties.
