CdS yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri

Abstract

Bu çalışmada, CdS yarıiletken filmlerini, kimyasal püskürtme yöntemini kullanarak 325±5 oC taban sıcaklığında oluÅŸturulmuÅŸtur. OluÅŸan CdS ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri incelenmiÅŸtir. Çözeltiyi hazırlamak için gerekli miktarlarda kadmiyum klorür, tiyoüre ve deiyonize su kullanılmıştır. Hazırlanan çözelti ~15 ml/dk-1 hızla, 15 dk boyunca camların üzerine püskürtülmüştür. OluÅŸan ince filmler 250 oC, 300 oC ve 350 oC’ de hava ortamında tavlanmıştır. Elde edilen filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile belirlenmiÅŸtir. Filmlerin yasak enerji aralıkları 2,42-2,44 eV aralığında deÄŸiÅŸim göstermiÅŸtir. X-Işınları kırınım cihazı kullanılarak filmlerin kristal yapı analizleri, SEM ile yüzey durumları ve EDX ile kimyasal analizleri incelenmiÅŸtir. CdS filminin tercihli yönelimi 2θ=ð€·¥ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½30o’ de gözlenen (002) yönünde olduÄŸu görülmektedir. Kırınım deseninde görülen piklerin hegzagonal yapıdaki CdS’ ye ait olduÄŸu belirlenmiÅŸtir. Sonuç olarak, elde edilen CdS ince filmlerin fiziksel ve yapısal özelliklerinde bazı deÄŸiÅŸimler meydana geldiÄŸi gözlenmiÅŸtir. Anahtar

In this study, CdS films were formed at the base temperature of 325±5 oC using chemical spraying method. Some physical properties of CdS thin films were investigated. The required amounts of cadmium chloride, thiourea and deionized water were used to prepare the solution. The prepared solution was sprayed on the glasses for 15 minutes at a rate of ~15 ml/min-1. The resulting thin films were annealed in air at 250 oC, 300 oC and 350 oC. Forbidden energy ranges of the obtained films were determined by optical method. The forbidden energy ranges of the films varied between 2,42-2,44 eV. By using X-ray diffraction device, the crystal structure analysis of the films, surface conditions with SEM and chemical analysis with EDX were examined. The preferred orientation of the CdS film is seen the direction (002) observed at 2θ=ð€·¥ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½ï¿½30o. The peaks in the diffraction pattern belong to the hexagonal structure CdS. As a result, it was observed that changes in some physical properties of the obtained CdS thin films were occurred.